SPB10N10 G

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

SPB10N10 G datasheet

• Маркировка
  SPB10N10 G
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies SPB10N10 G Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 10.3A Drain To Source Voltage (vdss): 100V Fet Feature: Standard Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: 19.4nC @ 10V Input Capacitance (ciss) @ Vds: 426pF @ 25V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: D??Pak, TO-263 (2 leads + tab) Power - Max: 50W Rds On (max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 7.8A, 10V Series: SIPMOS?® Vgs(th) (max) @ Id: 4V @ 21?µA Other Names: SP000102168, SPB10N10GXT
• Количество страниц
  8 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SPB10N10 G.pdf
Файл формата Pdf 151,64 KB